반도체에 '빔' 쐈더니 성능 급상승…전하 이동 속도 2.5배 ↑
반도체에 입자빔을 쏴 전하 이동도를 최대 2.5배 늘리는 방법으로 반도체 성능을 획기적으로 높인 기술이 국내에서 개발됐다. 한국원자력연구원(이하 원자력연)은 박준규 양성자과학연구단 입자빔이용본부 책임연구원 연구팀이 실리콘 기판 반도체에 질소 입자빔을 주입해 전하 이동도를 높이는 기술을 개발했다고 10일 밝혔다. 이번 연구 결과는 국제 학술지 '어드밴스드 펑셔널 머티리얼즈'에 지난달 26일 게재됐다. 전하이동도는 전하가 반도체 소자 내에서 얼마나 빠르게 퍼져나가는지 가늠하는 척도다. 전하이동도가 높을수록 반도체의 성능이 향상된...
박건희기자
2024.12.10 13:13:42